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位置

电气学系 & 计算机工程

物理地址:

布坎南工程(BEL) 213
外围大道875号,ms1023
莫斯科,号码83844-1023

电话:208-885-6554

传真:208-885-7579

电子邮件: ece-info@dctdsj.com

关于

下一代微电子研究中心(NGeM)致力于创新微电子教育的使命, 研究和奖学金. NGeM专注于为学生提供对微电子芯片开发过程的深刻理解, 从理论数学基础到设计到封装和器件制造.

NGeM的教师专注于为所有级别的学生提供本科和研究生水平的课程和领先的赞助研究经验. NGeM为学生提供接触微电子封装的实际阶段,如晶圆切割, 线焊接, 死连接, 丝网印刷, 低温共烧陶瓷及衬底制造.

NGeM为行业赞助的研究提供了机会,这些研究由NGeM的教师领导,他们是各自领域的专家. 鼓励各个层次的学生与NGeM教师一起参与正在进行的最先进的赞助研究. 教师们目前正在从事由 国家科学基金会, 微米的基础, M. J. 默多克慈善信托基金, 族化合物的基础爱达荷GEM资助计划. 从事资助研究的学生获得了微电子学的基本实践经验, 项目管理和关键技能,将使他们在工作场所取得成功.

奖学金也是NGeM使命的一个重要目标. NGeM的教职员工积极参与期刊和会议论文的出版, 还有书, 书的章节和介绍在微电子和电子封装的关键主题.

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